On-chip capacitors in semiconductor devices and methods for forming thereof

WO2022048017 Art A1 10. März 2022

Anmelder: YANGTZE MEMORY TECHNOLOGIES CO., LTD. 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2022048017
Aktenzeichen: EP20952259
Anmeldetag: 13. November 2020
Veröffentlichung: 10. März 2022
Rechtsraum: WO
IPC: H01L27/1157H01L27/04

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: YANGTZE MEMORY TECHNOLOGIES CO., LTD.
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Yangtze Memory Technologies

Chinesisches Unternehmen aus Wuhan, das NAND-Flash-Speicherchips entwickelt und produziert.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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