Sense amplifier, memory, and method for controlling sense amplifier

WO2022048074 Art A1 10. März 2022

Anmelder: ANHUI UNIVERSITY, CHANGXIN MEMORY TECHNOLOGIES, INC. 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2022048074
Aktenzeichen: EP20952315
Anmeldetag: 25. Dezember 2020
Veröffentlichung: 10. März 2022
Rechtsraum: WO
IPC: G11C7/08G11C7/06

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: ANHUI UNIVERSITY
CHANGXIN MEMORY TECHNOLOGIES, INC.
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Changxin Memory Technologies

Chinesischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Hefei, spezialisiert auf DRAM-Speicherchips.

2.637 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Akustik, Musik & Datenspeicherung

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