Laterally-diffused metal-oxide semiconductor apparatus and preparation method therefor, and electronic device

WO2022048163 Art A1 10. März 2022

Anmelder: CSMC TECHNOLOGIES FAB2 CO., LTD. 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2022048163
Aktenzeichen: EP21863233
Anmeldetag: 22. April 2021
Veröffentlichung: 10. März 2022
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/78H01L21/336H01L29/06

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: CSMC TECHNOLOGIES FAB2 CO., LTD.
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 CSMC Technologies Fab2

CSMC Technologies Fab2 Co., Ltd. ist ein chinesischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Wuxi, der als Foundry Leistungshalbleiter und analoge Bauelemente fertigt. Das Patentportfolio konzentriert sich fast vollständig auf Halbleiter und elektrische Bauelemente, ergänzt um Elektronik, Optik und Mess- und Prüftechnik. Anmeldungen erfolgen seit 2010 bis in die Gegenwart.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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