Random Number Generation Circuit

WO2022048245 Art A1 10. März 2022

Anmelder: CHANGXIN MEMORY TECHNOLOGIES, INC. 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2022048245
Aktenzeichen: EP21863313
Anmeldetag: 17. Juni 2021
Veröffentlichung: 10. März 2022
Rechtsraum: WO
IPC: G06F7/58H03K3/027

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: CHANGXIN MEMORY TECHNOLOGIES, INC.
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Changxin Memory Technologies

Chinesischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Hefei, spezialisiert auf DRAM-Speicherchips.

2.637 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Elektronik & Schaltungstechnik Software & Datenverarbeitung

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