Metal oxide film, semiconductor device, and manufacturing method therefor

WO2022049459 Art A1 10. März 2022

Anmelder: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2022049459
Aktenzeichen: EP21863797
Anmeldetag: 26. August 2021
Veröffentlichung: 10. März 2022
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/31H01L21/316H01L21/8234H01L27/06H01L27/088H01L27/11502H01L27/11507H01L21/336H01L29/788H01L29/792H01L29/786C23C16/40C23C16/455

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Semiconductor Energy Laboratory

Japanisches Forschungsunternehmen mit Sitz in Atsugi. Semiconductor Energy Laboratory (SEL) forscht an Halbleitertechnologien, Flüssigkristall- und OLED-Displays sowie Dünnschichttransistoren.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

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