Redundant Through-Silicon Vias

WO2022051042 Art A1 10. März 2022

Anmelder: MICRON TECHNOLOGY, INC 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2022051042
Aktenzeichen: EP21864867
Anmeldetag: 28. Juli 2021
Veröffentlichung: 10. März 2022
Rechtsraum: WO
IPC: H01L25/065H01L23/48H01L23/50G11C5/06G11C29/00

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: MICRON TECHNOLOGY, INC
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Micron Technology

US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Boise, Idaho. Micron entwickelt und fertigt Speicherchips wie DRAM und NAND-Flash sowie Speicherlösungen für Computer, Mobilgeräte, Rechenzentren und Automobile.

3.194 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Akustik, Musik & Datenspeicherung Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von