Semiconductor devices with shielding structures

WO2022052029 Art A1 17. März 2022

Anmelder: YANGTZE MEMORY TECHNOLOGIES CO., LTD 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2022052029
Aktenzeichen: EP20952817
Anmeldetag: 11. September 2020
Veröffentlichung: 17. März 2022
Rechtsraum: WO
IPC: H01L23/552H01L27/11519H01L27/11524

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: YANGTZE MEMORY TECHNOLOGIES CO., LTD
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Yangtze Memory Technologies

Chinesisches Unternehmen aus Wuhan, das NAND-Flash-Speicherchips entwickelt und produziert.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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