Semiconductor device

WO2022054600 Art A1 17. März 2022

Anmelder: ROHM CO., LTD. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2022054600
Aktenzeichen: EP21866559
Anmeldetag: 26. August 2021
Veröffentlichung: 17. März 2022
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/8234H01L27/06H01L27/088H01L29/41H01L29/47H01L29/872H01L29/417H01L21/336H01L29/78H01L21/338H01L29/812H01L29/778H01L29/861H01L29/868

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: ROHM CO., LTD.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Rohm

Japanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Kyoto, spezialisiert auf integrierte Schaltkreise, diskrete Halbleiterbauelemente und Leistungshalbleiter (unter anderem Siliziumkarbid-Bauteile).

2.771 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von