Ramp-Based Biasing in A Memory Device

WO2022055637 Art A1 17. März 2022

Anmelder: MICRON TECHNOLOGY, INC 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2022055637
Aktenzeichen: EP21867324
Anmeldetag: 3. August 2021
Veröffentlichung: 17. März 2022
Rechtsraum: WO
IPC: G11C13/00G11C8/10

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: MICRON TECHNOLOGY, INC
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Micron Technology

US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Boise, Idaho. Micron entwickelt und fertigt Speicherchips wie DRAM und NAND-Flash sowie Speicherlösungen für Computer, Mobilgeräte, Rechenzentren und Automobile.

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Fachgebiete

Akustik, Musik & Datenspeicherung

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