Compliant silicon substrates for heteroepitaxial growth by hydrogen-induced exfoliation

WO2022055794 Art A1 17. März 2022

Anmelder: RAYTHEON COMPANY 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2022055794
Aktenzeichen: EP21790301
Anmeldetag: 3. September 2021
Veröffentlichung: 17. März 2022
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/02

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: RAYTHEON COMPANY
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Raytheon Company

US-amerikanisches Rüstungs- und Technologieunternehmen mit Sitz in Massachusetts, heute Teil von RTX Corporation. Entwickelt Verteidigungssysteme, Radartechnik, Flugabwehr, Sensorik und Luftfahrtelektronik.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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