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WO2022055901 Art A1 17. März 2022

Anmelder: MICRON TECHNOLOGY, INC. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.
WO2022055901
Aktenzeichen
EP21867459
Anmeldetag
7. September 2021
Veröffentlichung
17. März 2022
Rechtsraum
WO
IPC
G06F21/71G06F21/33H04L9/08H04L9/32
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma
MICRON TECHNOLOGY, INC.
Land
🇺🇸 USA
🇺🇸 Micron Technology

US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Boise, Idaho. Micron entwickelt und fertigt Speicherchips wie DRAM und NAND-Flash sowie Speicherlösungen für Computer, Mobilgeräte, Rechenzentren und Automobile.

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Vertreten von

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