Temporary Capping Material For Oxide Prevention in Low Temperature Direct Metal-Metal Bonding

WO2022056160 Art A1 17. März 2022

Anmelder: LAM RESEARCH CORPORATION 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2022056160
Aktenzeichen: EP21867610
Anmeldetag: 9. September 2021
Veröffentlichung: 17. März 2022
Rechtsraum: WO
IPC: H01L23/00C08L65/00C08L71/00

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: LAM RESEARCH CORPORATION
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Lam Research

US-amerikanischer Hersteller von Fertigungsanlagen für die Halbleiterindustrie mit Sitz in Fremont, Kalifornien, spezialisiert auf Ätz- und Beschichtungssysteme (Deposition) für die Chipproduktion.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Kunststoff- & Polymertechnik

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