Capacitor array structure and manufacturing method therefor, and dynamic random access memory
WO2022057399
Art A1
24. März 2022
Anmelder: CHANGXIN MEMORY TECHNOLOGIES, INC. 🇨🇳
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2022057399
- Aktenzeichen
- EP21868228
- Anmeldetag
- 6. Juli 2021
- Veröffentlichung
- 24. März 2022
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L27/108H01L21/8242
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- CHANGXIN MEMORY TECHNOLOGIES, INC.
- Land
- 🇨🇳 China
🇨🇳
Changxin Memory Technologies
Chinesischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Hefei, spezialisiert auf DRAM-Speicherchips.
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