Vertical Transistor Floating Body One Transistor Dram Memory Cell

WO2022058511 Art A1 24. März 2022

Anmelder: International Business Machines Corporation 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2022058511
Aktenzeichen: EP21778409
Anmeldetag: 17. September 2021
Veröffentlichung: 24. März 2022
Rechtsraum: WO
IPC: G11C11/404H01L27/108H01L29/78H01L29/06

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: International Business Machines Corporation
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 IBM

US-amerikanischer Technologiekonzern mit Sitz in Armonk, New York. International Business Machines entwickelt Hardware, Software, Cloud-Dienste sowie Lösungen für künstliche Intelligenz, Halbleiter und Unternehmens-IT.

9.753 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Akustik, Musik & Datenspeicherung Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von