Three-dimensional flash memory using ferroelectric layer on basis of back gate structure

WO2022059956 Art A1 24. März 2022

Anmelder: IUCF-HYU (INDUSTRY-UNIVERSITY COOPERATION FOUNDATI 🇰🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2022059956
Aktenzeichen: EP21869579
Anmeldetag: 25. August 2021
Veröffentlichung: 24. März 2022
Rechtsraum: WO
IPC: H01L27/11597H01L27/1159H01L29/78G11C16/04G11C16/08G11C16/26

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: IUCF-HYU (INDUSTRY-UNIVERSITY COOPERATION FOUNDATI
Land: 🇰🇷 Südkorea

🇰🇷 Iucf-hyu (Industry-University Cooperation Foundation)

Die IUCF-HYU (Industry-University Cooperation Foundation) ist die Forschungstransferstelle der Hanyang University in Südkorea. Das Portfolio konzentriert sich auf Halbleiter und elektrische Bauelemente sowie Software, mit weiteren Schwerpunkten in Medizintechnik und Akustik. Anmeldungen laufen seit 2018, unter anderem zu drahtloser Kommunikation und künstlicher Intelligenz.

358 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Akustik, Musik & Datenspeicherung Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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