Method for regulating defects and doping characteristics of wide-bandgap semiconductor material, and use thereof

WO2022061484 Art A1 31. März 2022

Anmelder: Southern University of Science and Technology 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2022061484
Aktenzeichen: EP20954338
Anmeldetag: 22. September 2020
Veröffentlichung: 31. März 2022
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/22H01L21/02

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Southern University of Science and Technology
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Southern University of Science and Technology

Die Southern University of Science and Technology ist eine staatliche Universität in Shenzhen, China. Ihr Patentportfolio verteilt sich breit über Software, Halbleitertechnik, Messtechnik, Medizintechnik und organische Chemie und spiegelt ein multidisziplinäres Forschungsprofil wider. Die Anmeldungen stammen aus den Jahren 2015 bis 2025.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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