On-chip capacitors in three-dimensional semiconductor devices and methods for forming the same

WO2022061796 Art A1 31. März 2022

Anmelder: YANGTZE MEMORY TECHNOLOGIES CO., LTD. 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2022061796
Aktenzeichen: EP20954647
Anmeldetag: 27. September 2020
Veröffentlichung: 31. März 2022
Rechtsraum: WO
IPC: H01L27/06H01L27/11573H01L27/11575H01L21/8242

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: YANGTZE MEMORY TECHNOLOGIES CO., LTD.
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Yangtze Memory Technologies

Chinesisches Unternehmen aus Wuhan, das NAND-Flash-Speicherchips entwickelt und produziert.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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