High threshold power semiconductor device and manufacturing method therefor
WO2022062281
Art A1
31. März 2022
Anmelder: SOUTHEAST UNIVERSITY 🇨🇳
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2022062281
- Aktenzeichen
- EP21870671
- Anmeldetag
- 20. Januar 2021
- Veröffentlichung
- 31. März 2022
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L29/812H01L29/06H01L21/338
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- SOUTHEAST UNIVERSITY
- Land
- 🇨🇳 China
🇨🇳
Southeast University
Chinesische Universität mit Sitz in Nanjing, Schwerpunkt auf Ingenieur- und Technikwissenschaften.
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Vertreten von
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