Metal oxide semiconductor, and thin-film transistor and use thereof
WO2022062454
Art A1
31. März 2022
Anmelder: South China University of Technology 🇨🇳
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2022062454
- Aktenzeichen
- EP21870841
- Anmeldetag
- 28. Mai 2021
- Veröffentlichung
- 31. März 2022
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L29/786
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- South China University of Technology
- Land
- 🇨🇳 China
🇨🇳
South China University of Technology
Chinesische Universität mit Sitz in Guangzhou, die als Anmelderin von Patenten aus ihrer technischen und naturwissenschaftlichen Forschung auftritt. Schwerpunkte liegen unter anderem in Materialwissenschaft und Maschinenbau.
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