Integrated circuit memory and forming method therefor

WO2022062544 Art A1 31. März 2022

Anmelder: CHANGXIN MEMORY TECHNOLOGIES, INC. 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.
WO2022062544
Aktenzeichen
EP21870923
Anmeldetag
30. Juni 2021
Veröffentlichung
31. März 2022
Rechtsraum
WO
IPC
H01L27/108G11C5/02
Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma
CHANGXIN MEMORY TECHNOLOGIES, INC.
Land
🇨🇳 China
🇨🇳 Changxin Memory Technologies

Chinesischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Hefei, spezialisiert auf DRAM-Speicherchips.

2.637 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Akustik, Musik & Datenspeicherung Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von

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