Three-dimensional memory and manufacturing method therefor, and electronic device

WO2022067587 Art A1 7. April 2022

Anmelder: HUAWEI TECHNOLOGIES CO., LTD., FUDAN UNIVERSITY 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2022067587
Aktenzeichen: EP20955612
Anmeldetag: 29. September 2020
Veröffentlichung: 7. April 2022
Rechtsraum: WO
IPC: H01L27/11512

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: HUAWEI TECHNOLOGIES CO., LTD.
FUDAN UNIVERSITY
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Huawei

Chinesisches Technologieunternehmen mit Sitz in Shenzhen. Entwickelt Telekommunikationsinfrastruktur, Netzwerktechnik, Smartphones und weitere Unterhaltungs- und Kommunikationselektronik.

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🇨🇳 Fudan University

Die Fudan University ist eine chinesische Eliteuniversität mit Sitz in Shanghai und breiter Forschung in Medizin und Chemie. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Medizintechnik und Gesundheit sowie organische Chemie, ergänzt durch Pharma und Halbleitertechnik. Anmeldungen erstrecken sich von 2000 bis 2025.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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