Verfahren und Vorrichtung zum Abscheiden einer Epitaktischen Schicht auf einer Substratscheibe aus Halbleitermaterial

WO2022069283 Art A1 7. April 2022

Anmelder: SILTRONIC AG 🇩🇪

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2022069283
Aktenzeichen: EP21778131
Anmeldetag: 20. September 2021
Veröffentlichung: 7. April 2022
Rechtsraum: WO
IPC: C23C16/455C23C16/458C30B25/12C30B25/14H01L21/687C23C16/52C30B25/16H01L21/67

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: SILTRONIC AG
Land: 🇩🇪 Deutschland

🇩🇪 Siltronic

Deutscher Halbleiterzulieferer mit Sitz in München. Siltronic stellt hochreine Siliziumwafer für die Chip- und Elektronikindustrie her.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

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