Silicon carbide substrate, silicon carbide single-crystal substrate, and method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

WO2022074903 Art A1 14. April 2022

Anmelder: SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2022074903
Aktenzeichen: EP21877207
Anmeldetag: 27. Juli 2021
Veröffentlichung: 14. April 2022
Rechtsraum: WO
IPC: C30B33/00C30B33/04C30B33/12C30B23/06H01L21/66H01L29/12H01L29/78H01L29/739H01L21/336C30B29/36

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Sumitomo Electric Industries

Japanischer Technologiekonzern mit Sitz in Osaka, Teil der Sumitomo-Gruppe. Aktiv in Kabel- und Glasfasertechnologie, Halbleitern, Automobilkomponenten sowie Elektronik- und Werkstofftechnik.

11.182 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

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