Production method for n-type silicon single crystal wafers

WO2022074970 Art A1 14. April 2022

Anmelder: SHIN-ETSU HANDOTAI CO., LTD. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2022074970
Aktenzeichen: EP21877273
Anmeldetag: 2. September 2021
Veröffentlichung: 14. April 2022
Rechtsraum: WO
IPC: C30B15/00C30B33/00H01L21/304C30B29/06

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: SHIN-ETSU HANDOTAI CO., LTD.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Shin-Etsu Handotai

Japanisches Unternehmen der Shin-Etsu-Gruppe, das Siliziumwafer für die Halbleiterindustrie herstellt.

1.180 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

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