Defect evaluation method, defect evaluation method for soi substrate, and defect evaluation method for multilayer substrate

WO2022075100 Art A1 14. April 2022

Anmelder: SHIN-ETSU HANDOTAI CO., LTD. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2022075100
Aktenzeichen: EP21877401
Anmeldetag: 27. September 2021
Veröffentlichung: 14. April 2022
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/66G01N23/205G01N23/2055

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: SHIN-ETSU HANDOTAI CO., LTD.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Shin-Etsu Handotai

Japanisches Unternehmen der Shin-Etsu-Gruppe, das Siliziumwafer für die Halbleiterindustrie herstellt.

1.180 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik

Vertreten von

Kein Vertreter erfasst.

Noch Fragen?

Wir helfen Ihnen gerne weiter. Schreiben Sie uns einfach.

Kontakt aufnehmen