Parasitic capacitance measurement method, and memory and readable storage medium

WO2022077979 Art A1 21. April 2022

Anmelder: CHANGXIN MEMORY TECHNOLOGIES, INC. 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.
WO2022077979
Aktenzeichen
EP21879027
Anmeldetag
15. Juli 2021
Veröffentlichung
21. April 2022
Rechtsraum
WO
IPC
H01L21/66G01R27/26G11C29/50
Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma
CHANGXIN MEMORY TECHNOLOGIES, INC.
Land
🇨🇳 China
🇨🇳 Changxin Memory Technologies

Chinesischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Hefei, spezialisiert auf DRAM-Speicherchips.

2.637 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Akustik, Musik & Datenspeicherung Halbleiter & Elektrische Bauelemente Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik

Vertreten von

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