Group 13 element nitride crystal layer growth method, nitride semiconductor ingot and sputtering target

WO2022079962 Art A1 21. April 2022

Anmelder: NGK INSULATORS, LTD. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2022079962
Aktenzeichen: EP21879705
Anmeldetag: 12. Juli 2021
Veröffentlichung: 21. April 2022
Rechtsraum: WO
IPC: C30B29/38C23C14/34C30B19/04C30B23/02C30B33/00

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: NGK INSULATORS, LTD.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 NGK Insulators

Japanisches Industrieunternehmen mit Sitz in Nagoya. NGK Insulators fertigt Keramikprodukte, darunter Isolatoren, Abgaskatalysatorträger, Sensoren und Energiespeichersysteme für Energieversorgung, Automobil und Industrie.

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Fachgebiete

Metallurgie & Oberflächentechnik

Vertreten von