Three-dimensional nand memory device with split channel gates

WO2022082345 Art A1 28. April 2022

Anmelder: YANGTZE MEMORY TECHNOLOGIES CO., LTD. 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2022082345
Aktenzeichen: EP20957934
Anmeldetag: 19. Oktober 2020
Veröffentlichung: 28. April 2022
Rechtsraum: WO
IPC: H01L27/11565H01L27/1157H01L27/11582

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: YANGTZE MEMORY TECHNOLOGIES CO., LTD.
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Yangtze Memory Technologies

Chinesisches Unternehmen aus Wuhan, das NAND-Flash-Speicherchips entwickelt und produziert.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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