Manufacturing method for split-gate trench mosfet

WO2022083076 Art A1 28. April 2022

Anmelder: CSMC TECHNOLOGIES FAB2 CO., LTD. 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2022083076
Aktenzeichen: EP21881502
Anmeldetag: 12. April 2021
Veröffentlichung: 28. April 2022
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/8234H01L29/423

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: CSMC TECHNOLOGIES FAB2 CO., LTD.
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 CSMC Technologies Fab2

CSMC Technologies Fab2 Co., Ltd. ist ein chinesischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Wuxi, der als Foundry Leistungshalbleiter und analoge Bauelemente fertigt. Das Patentportfolio konzentriert sich fast vollständig auf Halbleiter und elektrische Bauelemente, ergänzt um Elektronik, Optik und Mess- und Prüftechnik. Anmeldungen erfolgen seit 2010 bis in die Gegenwart.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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