Buried word line structure and manufacturing method therefor, and dynamic random access memory

WO2022083171 Art A1 28. April 2022

Anmelder: CHANGXIN MEMORY TECHNOLOGIES, INC. 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2022083171
Aktenzeichen: EP21881591
Anmeldetag: 30. Juni 2021
Veröffentlichung: 28. April 2022
Rechtsraum: WO
IPC: H01L27/108H01L21/768H01L23/522

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: CHANGXIN MEMORY TECHNOLOGIES, INC.
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Changxin Memory Technologies

Chinesischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Hefei, spezialisiert auf DRAM-Speicherchips.

2.637 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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