Three-dimensional memory devices with supporting structure for staircase region and spacer structure for contact structure and methods for forming the same

WO2022087772 Art A1 5. Mai 2022

Anmelder: YANGTZE MEMORY TECHNOLOGIES CO., LTD. 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2022087772
Aktenzeichen: EP20958938
Anmeldetag: 26. Oktober 2020
Veröffentlichung: 5. Mai 2022
Rechtsraum: WO
IPC: H01L27/11582H01L27/1157

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: YANGTZE MEMORY TECHNOLOGIES CO., LTD.
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Yangtze Memory Technologies

Chinesisches Unternehmen aus Wuhan, das NAND-Flash-Speicherchips entwickelt und produziert.

996 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von

Kein Vertreter erfasst.

Noch Fragen?

Wir helfen Ihnen gerne weiter. Schreiben Sie uns einfach.

Kontakt aufnehmen