Concentric staircase structure in three-dimensional memory device and method thereof

WO2022087943 Art A1 5. Mai 2022

Anmelder: YANGTZE MEMORY TECHNOLOGIES CO., LTD. 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2022087943
Aktenzeichen: EP20959106
Anmeldetag: 29. Oktober 2020
Veröffentlichung: 5. Mai 2022
Rechtsraum: WO
IPC: H01L27/11519H01L27/11551H01L27/11565H01L27/11578

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: YANGTZE MEMORY TECHNOLOGIES CO., LTD.
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Yangtze Memory Technologies

Chinesisches Unternehmen aus Wuhan, das NAND-Flash-Speicherchips entwickelt und produziert.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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