Semiconductor structure and forming method therefor
WO2022088781
Art A1
5. Mai 2022
Anmelder: CHANGXIN MEMORY TECHNOLOGIES, INC. 🇨🇳
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2022088781
- Aktenzeichen
- EP21884517
- Anmeldetag
- 22. Juli 2021
- Veröffentlichung
- 5. Mai 2022
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L27/108
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- CHANGXIN MEMORY TECHNOLOGIES, INC.
- Land
- 🇨🇳 China
🇨🇳
Changxin Memory Technologies
Chinesischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Hefei, spezialisiert auf DRAM-Speicherchips.
2.637 Patente in unserer Datenbank
Fachgebiete
Vertreten von
Kein Vertreter erfasst.