Semiconductor device, three-dimensional memory, and preparation method for semiconductor device

WO2022089586 Art A1 5. Mai 2022

Anmelder: YANGTZE MEMORY TECHNOLOGIES CO., LTD. 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2022089586
Aktenzeichen: EP21885312
Anmeldetag: 29. Oktober 2021
Veröffentlichung: 5. Mai 2022
Rechtsraum: WO
IPC: H01L27/11519H01L27/11524H01L27/11529H01L27/11556H01L27/11565

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: YANGTZE MEMORY TECHNOLOGIES CO., LTD.
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Yangtze Memory Technologies

Chinesisches Unternehmen aus Wuhan, das NAND-Flash-Speicherchips entwickelt und produziert.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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