Three-dimensional dynamic random access memory (dram) and methods of forming the same

WO2022093460 Art A1 5. Mai 2022

Anmelder: APPLIED MATERIALS, INC. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2022093460
Aktenzeichen: EP21887151
Anmeldetag: 27. September 2021
Veröffentlichung: 5. Mai 2022
Rechtsraum: WO
IPC: H01L27/108H01L49/02

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: APPLIED MATERIALS, INC.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Applied Materials

US-amerikanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Santa Clara, Kalifornien. Applied Materials entwickelt Fertigungsanlagen und Prozesstechnologien für die Halbleiter-, Display- und Solarindustrie, unter anderem für Beschichtung, Ätzen und Materialabscheidung.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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