Integrated circuit device and forming method thereof

WO2022095418 Art A1 12. Mai 2022

Anmelder: CHANGXIN MEMORY TECHNOLOGIES, INC. 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.
WO2022095418
Aktenzeichen
EP21888121
Anmeldetag
25. Mai 2021
Veröffentlichung
12. Mai 2022
Rechtsraum
WO
IPC
H01L21/768H01L23/525H01L23/528
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma
CHANGXIN MEMORY TECHNOLOGIES, INC.
Land
🇨🇳 China
🇨🇳 Changxin Memory Technologies

Chinesischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Hefei, spezialisiert auf DRAM-Speicherchips.

2.637 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von

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