Silicon carbide semiconductor device and method for producing silicon carbide semiconductor device

WO2022097386 Art A1 12. Mai 2022

Anmelder: SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2022097386
Aktenzeichen: EP21888939
Anmeldetag: 27. September 2021
Veröffentlichung: 12. Mai 2022
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/301H01L29/06H01L29/78H01L29/12H01L21/336

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Sumitomo Electric Industries

Japanischer Technologiekonzern mit Sitz in Osaka, Teil der Sumitomo-Gruppe. Aktiv in Kabel- und Glasfasertechnologie, Halbleitern, Automobilkomponenten sowie Elektronik- und Werkstofftechnik.

11.182 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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