Method for manufacturing through silicon via having no voids

WO2022098107 Art A1 12. Mai 2022

Anmelder: RESEARCH BUSINESS FOUNDATION SUNGKYUNKWAN UNIVERSITY 🇰🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2022098107
Aktenzeichen: EP21889572
Anmeldetag: 4. November 2021
Veröffentlichung: 12. Mai 2022
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/768H01L21/288H01L21/3065

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: RESEARCH BUSINESS FOUNDATION SUNGKYUNKWAN UNIVERSITY
Land: 🇰🇷 Südkorea

🇰🇷 Research & Business Foundation Sungkyunkwan University

Die Research & Business Foundation Sungkyunkwan University ist die Technologietransfer- und Patentverwertungsstelle der südkoreanischen Sungkyunkwan-Universität. Das Portfolio streut breit über Medizintechnik, Halbleiter und Nachrichtentechnik, mit weiteren Anmeldungen in Mess- und Softwaretechnik. Anmeldungen stammen aus den Jahren 2011 bis 2025.

427 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von