Memory array and method used in forming a memory array comprising strings of memory cells

WO2022098471 Art A1 12. Mai 2022

Anmelder: MICRON TECHNOLOGY, INC. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2022098471
Aktenzeichen: EP21889805
Anmeldetag: 11. Oktober 2021
Veröffentlichung: 12. Mai 2022
Rechtsraum: WO
IPC: H01L27/11524H01L27/1157H01L27/11556H01L27/11582

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: MICRON TECHNOLOGY, INC.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Micron Technology

US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Boise, Idaho. Micron entwickelt und fertigt Speicherchips wie DRAM und NAND-Flash sowie Speicherlösungen für Computer, Mobilgeräte, Rechenzentren und Automobile.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von