Channel structures having protruding portions in three-dimensional memory device and method for forming the same

WO2022099464 Art A1 19. Mai 2022

Anmelder: YANGTZE MEMORY TECHNOLOGIES CO., LTD. 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2022099464
Aktenzeichen: EP20961023
Anmeldetag: 10. November 2020
Veröffentlichung: 19. Mai 2022
Rechtsraum: WO
IPC: H01L27/11582H01L27/1157H01L27/11556H01L27/11524

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: YANGTZE MEMORY TECHNOLOGIES CO., LTD.
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Yangtze Memory Technologies

Chinesisches Unternehmen aus Wuhan, das NAND-Flash-Speicherchips entwickelt und produziert.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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