Multi-Threshold Voltage Gallium Nitride High Electron Mobility Transistor
WO2022101736
Art A1
19. Mai 2022
Anmelder: NATIONAL RESEARCH COUNCIL OF CANADA 🇨🇦
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2022101736
- Aktenzeichen
- EP21891316
- Anmeldetag
- 2. November 2021
- Veröffentlichung
- 19. Mai 2022
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L21/18H01L29/778
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- NATIONAL RESEARCH COUNCIL OF CANADA
- Land
- 🇨🇦 Kanada
🇨🇦
National Research Council of Canada
Staatliche kanadische Forschungsorganisation mit Sitz in Ottawa, die angewandte Forschung und Entwicklung in zahlreichen Technologiefeldern betreibt.
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