Monolithic integration of enhancement-mode and depletion-mode galium nitride high electron mobility transistors
WO2022101740
Art A1
19. Mai 2022
Anmelder: NATIONAL RESEARCH COUNCIL OF CANADA 🇨🇦
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2022101740
- Aktenzeichen
- EP21891319
- Anmeldetag
- 3. November 2021
- Veröffentlichung
- 19. Mai 2022
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L21/77H01L29/778
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- NATIONAL RESEARCH COUNCIL OF CANADA
- Land
- 🇨🇦 Kanada
🇨🇦
National Research Council of Canada
Staatliche kanadische Forschungsorganisation mit Sitz in Ottawa, die angewandte Forschung und Entwicklung in zahlreichen Technologiefeldern betreibt.
388 Patente in unserer Datenbank
Fachgebiete
Vertreten von
Kein Vertreter erfasst.