Ferroelectric field effect transistors having enhanced memory window and methods of making the same

WO2022103436 Art A1 19. Mai 2022

Anmelder: SANDISK TECHNOLOGIES LLC 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2022103436
Aktenzeichen: EP21892493
Anmeldetag: 8. Juni 2021
Veröffentlichung: 19. Mai 2022
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/78H01L29/51H01L21/28H01L29/66H01L27/1159H01L27/11597

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: SANDISK TECHNOLOGIES LLC
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 SanDisk

US-amerikanischer Hersteller von Flash-Speicherprodukten wie SSDs, Speicherkarten und USB-Sticks. Das Unternehmen war zeitweise Teil von Western Digital und agiert seit 2025 wieder eigenständig.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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