All-inorganic transistor x-ray detector and manufacturing method therefor

WO2022104705 Art A1 27. Mai 2022

Anmelder: Shenzhen Institutes of Advanced Technology 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2022104705
Aktenzeichen: EP20961996
Anmeldetag: 20. November 2020
Veröffentlichung: 27. Mai 2022
Rechtsraum: WO
IPC: H01L31/119H01L31/115

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Shenzhen Institutes of Advanced Technology
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Shenzhen Institutes of Advanced Technology

Chinesisches Forschungsinstitut in Shenzhen unter der Chinesischen Akademie der Wissenschaften mit Schwerpunkten in Robotik, Biomedizintechnik und neuen Materialien.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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