Metal oxide semiconductor, thin film transistor, and application

WO2022105174 Art A1 27. Mai 2022

Anmelder: South China University Of Technology 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2022105174
Aktenzeichen: EP21893329
Anmeldetag: 28. Mai 2021
Veröffentlichung: 27. Mai 2022
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/786H01L29/24

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: South China University Of Technology
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 South China University of Technology

Chinesische Universität mit Sitz in Guangzhou, die als Anmelderin von Patenten aus ihrer technischen und naturwissenschaftlichen Forschung auftritt. Schwerpunkte liegen unter anderem in Materialwissenschaft und Maschinenbau.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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