Preparation method for silicon oxide and doped amorphous silicon film layer in topcon battery

WO2022105193 Art A1 27. Mai 2022

Anmelder: YANGZHOU UNIVERSITY, JIANGSU UNIVERSITY, CHANGZHOU UNIVERSITY 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2022105193
Aktenzeichen: EP21893347
Anmeldetag: 4. Juni 2021
Veröffentlichung: 27. Mai 2022
Rechtsraum: WO
IPC: H01L31/20H01L31/0216

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: YANGZHOU UNIVERSITY
JIANGSU UNIVERSITY
CHANGZHOU UNIVERSITY
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Jiangsu University

Die Jiangsu University ist eine chinesische staatliche Universität mit breitem technisch-naturwissenschaftlichem Forschungsprofil. Das Patentportfolio verteilt sich auf Mess- und Prüftechnik, Landwirtschafts- und Nahrungsmitteltechnik sowie Metallurgie und Fertigungstechnik. Anmeldungen sind von 2007 bis in die Gegenwart belegt.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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