Oxide semiconductor having ohmic junction structure, thin-film transistor having same, and manufacturing methods therefor

WO2022108074 Art A1 27. Mai 2022

Anmelder: IUCF-HYU (INDUSTRY-UNIVERSITY COOPERATION FOUNDATI 🇰🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2022108074
Aktenzeichen: EP21894847
Anmeldetag: 15. September 2021
Veröffentlichung: 27. Mai 2022
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/45H01L29/66H01L29/786H01L29/24H01L21/02

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: IUCF-HYU (INDUSTRY-UNIVERSITY COOPERATION FOUNDATI
Land: 🇰🇷 Südkorea

🇰🇷 Iucf-hyu (Industry-University Cooperation Foundation)

Die IUCF-HYU (Industry-University Cooperation Foundation) ist die Forschungstransferstelle der Hanyang University in Südkorea. Das Portfolio konzentriert sich auf Halbleiter und elektrische Bauelemente sowie Software, mit weiteren Schwerpunkten in Medizintechnik und Akustik. Anmeldungen laufen seit 2018, unter anderem zu drahtloser Kommunikation und künstlicher Intelligenz.

358 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von