Infrared photodetector architectures for high temperature operations
WO2022108761
Art A1
27. Mai 2022
Anmelder: RAYTHEON COMPANY 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2022108761
- Aktenzeichen
- EP21815813
- Anmeldetag
- 4. November 2021
- Veröffentlichung
- 27. Mai 2022
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L31/11H01L31/0232H01L31/0352H01L31/0304H01L27/146
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- RAYTHEON COMPANY
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Raytheon Company
US-amerikanisches Rüstungs- und Technologieunternehmen mit Sitz in Massachusetts, heute Teil von RTX Corporation. Entwickelt Verteidigungssysteme, Radartechnik, Flugabwehr, Sensorik und Luftfahrtelektronik.
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