Low resistivity contacts and interconnects

WO2022108762 Art A1 27. Mai 2022

Anmelder: LAM RESEARCH CORPORATION 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2022108762
Aktenzeichen: EP21895350
Anmeldetag: 4. November 2021
Veröffentlichung: 27. Mai 2022
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/768H01L21/285C23C16/04C23C16/455C23C16/18C23C16/02

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: LAM RESEARCH CORPORATION
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Lam Research

US-amerikanischer Hersteller von Fertigungsanlagen für die Halbleiterindustrie mit Sitz in Fremont, Kalifornien, spezialisiert auf Ätz- und Beschichtungssysteme (Deposition) für die Chipproduktion.

2.725 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

Vertreten von