Avalanche impact-resistant heterojunction semiconductor device
WO2022110523
Art A1
2. Juni 2022
Anmelder: Southeast University 🇨🇳
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2022110523
- Aktenzeichen
- EP21896043
- Anmeldetag
- 20. Januar 2021
- Veröffentlichung
- 2. Juni 2022
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L29/06H01L29/41H01L29/778H01L21/335
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Southeast University
- Land
- 🇨🇳 China
🇨🇳
Southeast University
Chinesische Universität mit Sitz in Nanjing, Schwerpunkt auf Ingenieur- und Technikwissenschaften.
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